DB62／T 2862.2-2018标准规范下载简介：
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DB62／T 2862.2-2018 额定电压330kV(Um=363kV)交联聚乙烯绝缘电力电缆及其附件 第2部分：电缆6.1.2结构和直流电阻
标称截面积为800mm以下的导体应采用符合GB/T3956的第2种紧压绞合圆形结构；800mm*的导体 可以采用紧压绞合圆形结构，也可以采用分割导体结构。 标称截面积为800mm²以上的导体应采用分割导体结构。分割导体如果采用金属绑扎带，应是非磁 生的，且应具有足以减小分割导体股块位移所需的强度。金属绑扎带应无凹痕、油污、裂缝、折皱；绕 包后不应有可能穿透半导电屏蔽层的缺陷。不 分割导体的圆度应采用卡尺和周长带二种方法沿着导体轴向相互间隔约0.3m的5个位置进行测量。 卡尺测得的5个最大直径的平均值不应超过周长带测得的5个直径的平均值1.8%；在任一位置卡尺测得 的最大直径不应超过周长测得的直径2.5%。 各种绞合导体和分割导体不允许整芯或整股焊接。绞合导体中的单线允许焊接，但在同一层内，相 邻两个接头之间的距离不应小于300mm²导体表面应光洁、无油污、无损伤屏蔽及绝缘的毛刺及锐边、 以及无凸起或断裂的单线。导体的结构和直流电阻应符合表2要求。
表2铜导体的结构和直流电阻
DB14T 2009-2020 空气质量网格化监测技术规范DB62/T 2862.22018
表2铜导体的结构和直流电阻（续）
6.2.3绝缘中的微孔和杂质
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半导电屏蔽应采用交联型的半导电屏蔽塑料，应具有与其直接接触的其他材料的良好相容性，其耐 温等级应与XLPE绝缘适配。 半导电屏蔽材料的性能参见附录B
6. 3. 2 导体屏赖
导体屏敲应由绕包半导电带和在其上挤包的半导电层组成，其厚度的近似值为2.0mm，其中挤包 电层的最薄点厚度不应小于0.8mm。导体屏蔽绕包用的半导电带的体积电阻率参见附录B。 济包的半导电层应厚度均匀，并与绝缘层牢固地黏结。半导电层与绝缘层的界面应连续光滑，无 线凸纹、尖角、颗粒、焦烧及擦伤的痕迹。
6.3.4半导电屏蔽电阻率
6.4缓冲层和纵向阻水层
缓冲层应采用半导电弹性材料，或具有纵向阻水功能的半导电弹性阻水材料。阻水带和阻水绳应具 有吸水膨胀性能。缓冲层和纵向阻水材料应与其相接触的其他材料相容。 绕包用的半导电缓冲带的体积电阻率应与电缆挤包的绝缘屏蔽的体积电阻率相适应，其他物理力学 性能应符合JB/T10259要求
6. 4. 2 缓冲层
导电性的阻水膨胀带绕包而成。阻水膨胀带应绕包紧密、平整，其可膨胀面应面向铜丝屏蔽（如果有） 当采用与绝缘半导电屏蔽直接黏结的铝箔复合套时，可免去额外的纵向阻水层。如对电缆导体也有 纵向阻水要求时，导体绞合时应加入阻水材料，
6. 5. 1一般要求
金属屏蔽应施加在电缆非金属屏蔽层。 金属屏蔽在整个电缆长度上应电气上连续。金属屏蔽应 能满足电缆线路短路容量（短路电流及持续时间）的要求。
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6. 6.2金属套的厚度
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表4金属套的标称厚度（续）
6.6.3属套的防蚀层
金属套表面应有沥青或热熔胶防蚀层。沥青可采用符合GB/T494要求的10号沥青。铅套上允许绕 生橡胶带作为防蚀层。
6.7.2外护套的厚度
外护套的标称厚度应是5.0mm。外护套的平均厚度不应小于标称厚度，最小厚度应是4.2mm。对 属套的外护套无平均厚度要求。 主：当采用复合外护套结构时，本规定仅适用于总厚度
外护套的表面应施以均匀牢固的导电层。如果采用挤塑的半导电层，且其与电缆外护套粘结牢固， 其厚度可以构成为外护套总厚度的一部分，但挤塑半导电层不应超过外护套标称厚度的20%。半导电塑 料的性能参见附录B。
成品电缆的性能应符合第7章和第8章要求
成品电缆的外护套表面应有制造商名称、产品型号、导体/铜丝屏蔽（如果有）规格、额定电压的 连续标志和长度标志。标志应字迹清楚，容易辨认，耐擦。 成品电缆标志应符合GB/T6995.3规定，
试验类别及代号见表5。
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表8电缆系统的型式试验项目及要求
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表9电缆系统预鉴定试验项目及要求
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GB 1886.206-2016 食品安全国家标准 食品添加剂 l-香芹酮DB62/T 2862.22018
电缆应尽量避免露大存放。电缆盘不充许平放。搬运中严禁从高处扔下装有电缆的电缆盘，严禁机 械损伤电缆。 吊装包装件时，严禁几盘同时吊装。在车辆、船舶等运输工具上，电缆盘必须放稳，并用合适的方 法固定，防止运输中相互碰撞、滚动或翻倒
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聚氯乙烯外护套电缆敷设前24h的环境温度不应低于0℃。在更低环境温度敷设时，应采取适当的加 温措施，恒温时间不低于12h方可展放
A.6电缆安装时的最大拉力和最大侧压力
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附录B （资料性附录） 绝缘料和半导电材料的性能
GB 1886.295-2016 食品安全国家标准 食品添加剂2,3,5,6-四甲基吡嗪电缆绝缘和半导电材料的性能如表B.1所示：
表B.1电缆绝缘和半导电材料的性能