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DB3603T 4-2022 电瓷用半导体釉制作技术规范.pdf

釉面进行孔隙性试验后不应有任何渗透现象，试验方法按照GB/T772规定执行

釉面应平整均匀，无釉滴、回头釉、缺釉、粘硅和其它附着杂质等釉面缺陷，其它釉面缺陷应符合 GB/T772规定的要求

试验采用瓷件上法兰端接高压（额定运行电压），下法兰接地进行检测，以客户订货技术条件为准， 泄漏电流宜在1.0士0.5mA范围内。

DB3603/T42022

附 （规范性附录） 制釉工序控制参考项目

表A.1对部分制釉过程给出了参考性要求。

表A.1制釉工序控制参考项目

施釉工 表B.1对部分施釉过程给出了参考性要求。

附 录 B （规范性附录） 施釉工序控制参考项目

某公路桥上部结构施工组织设计表B.1对部分施釉过程给出了参考性要求。

表B.1 施釉工序控制参考项目

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