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GB／T51198-2016 微组装生产线工艺设计规范及条文说明.pdf

3.4.2共晶焊的主要工序应符合下

1共晶焊前，应对基板和载体进行清洗并烘干； 2应选择共晶焊料和焊接母体表面粗糙度； 3应将裁剪好的合金预制焊片置于基板（外壳）底座上，将待 安装的各元器件（基板）准确放置在对应的焊片上，通过温度、时 间、气氛要求完成共晶； 4采用含金的合金焊料时，芯片背面应淀积金层；采用以锡 铟为主要成分的低共熔温度软合金焊料时，芯片背面应淀积镍、银 层或镍金层； 5当共晶焊料中含有助焊剂时，焊接后的器件应清洗去除焊 料、焊剂的残渣； ? 焊接完成后，应无损检测芯片、基板外观和焊接的空洞率。

3.4.3共晶焊的工艺运行条件应符合下列规定：

3.4.3共丽烊的工乙运行东11应付日十列元定： 1共晶焊工艺宜在等于或优于8级净化区中完成； 2共晶焊应在氮气或氮氢混合气体的保护气氛中进行； 3当共晶焊与环氧贴装用于同一电路时北京市铁路监护道口设施设备运行维护预算定额（试行）.pdf，应先完成操作温度 高的共晶焊再进行环氧贴装； 4手动共晶焊工艺可使用压缩空气； 5多个工序采用共晶焊工艺时，前道工序选用焊料的共晶温 度应高于后道工序。

1引线键合工艺适用于将电路内部的芯片、基板、外壳引脚 上的金属化键合区一一对应互连形成电气连接； 2按所施加能量方式的不同，引线键合工艺可分为热压键 合、超声波键合、热压超声波键合； 3按引线键合形式的不同，引线键合工艺可分为球形键合和 楔形键合； 4按键合材料的不同，引线键合工艺可分为金丝键合、铝丝 键合、铝硅丝键合、铜丝键合。

3.5.2引线键合的主要工序应符合下列规定：

1引线键合前宜先校验引线键合规范，确认工艺参数的稳定 性，并检查基板材料可键合性； 2键合前应保证键合区域清洁； 3应根据装配图纸要求确定引线材料、型号和尺寸，引线安 置在键合工具的过程中应保证引线表面的清洁； 4应按装配图纸要求，并应按正确的位置与方向要求将待键 合的引线准确键合在相应的焊盘上； 5进行热超声金丝球形键合时，应调整好EFO打火强度及丝 尾端与打火杆的间隙大小，成球的直径宜为金丝直径的2倍～3倍；

6采用金丝进行铝键合区IC芯片的引线键合时，键合加热 温度不宜高于150C； 7应控制超声功率、超声时间、键合压力和键合温度，并应确 保不损伤芯片、有较大的键合强度和好的焊点形态； 8应选择劈刀规格，楔形劈刀的刀尖宽度、针形劈刀（焊针） 的轴孔直径宜为引线直径的1.3倍～1.6倍； 9焊点应落在焊盘中心，牢固、无虚焊、无短路； 10引线键合后应在显微镜下目检引线和键合质量，并应进 行键合拉力测试。 3.5.3引线键合的工艺运行条件应符合下列规定： 1引线键合工艺宜在等于或优于7级净化区中进行； 2手动引线键合工艺可使用压缩空气：

3.5.3引线键合的工艺运行条件应符合下列规定：

3.5.3引线键合的工艺运行条件应符合下列规定：

3.5.3引线键合的工艺运行条化

1引线键合工艺宜在等于或优于7级净化区中进行； 2手动引线键合工艺可使用压缩空气； 3选用铜线进行引线键合时，宜在氮气或氮氢混合气体 中气氛中进行。

3.6.2倒装焊工艺的主要工序应符合下列规定

1原芯片电极焊区应制作金属过渡层，在金属过渡层上可制 作金凸点、钢凸点、镀金镍凸点、锡铅凸点和无铅凸点； 2金凸点、镀金焊盘的组合，可采用超声热压焊实现焊接

互连； 3双组分粘接剂使用前应按比例配制、搅拌均匀并静置排 气，单组分粘接剂宜贮存在一40C的冷冻环境中，使用前应在室温 下充分解冻并搅拌均匀、静置或真空排气； 4由焊料构成的凸点，可在焊盘或凸点上涂敷助焊剂，然后 将待安装的芯片面朝下放置在基板上，按要求固化后通过“温度 时间”曲线进行焊料再流，完成芯片与基板的倒装焊接； 5采用下填充和固化工艺时，下填充操作时应倾斜基板，精 确控制填充胶量； 6倒装焊后应清洗除净焊接产生的污染，再烘干或晾干产品； 7芯片倒装及下填充完成后，应目检倒装焊质量，无损检测 芯片凸点电极与其基板焊区间的对准精度，并应测试所倒装芯片 的抗剪切强度

1倒装焊工艺宜在等于或优于7级净化区中进行； 2倒装焊工艺中芯片的安装、互连应同时完成； 3倒装焊应在氮气或氮氢混合气体的保护气氛中进行。

3.7.1采用钎焊工艺应符合下列规定：

1电路内部湿气、氧气含量均较低，且有气密性要求的电连 接器与壳体组装时应采用钎焊工艺； 2有大面积接地要求的电路基板与载体或壳体的组装，以及 接插件与封装壳体不同组成部分之间的高精度拼装时应采用钎焊 工艺； 3在微电子产品的封装过程中，对金属或陶瓷腔体绝缘子、 接头或者盖板的焊接时应采用钎焊工艺； 4钎焊工艺用于小腔体的金属及陶瓷封装的封盖时，芯片及 电路应耐高温：

5待钎焊表面可钎焊性宜采用厚膜、薄膜或镀覆技术进 属化； 6钎焊工艺可采用二元或多元共晶焊料合金焊膏的形式 可采用预制焊片的形式，盖板与壳体热膨胀系数应匹配。

T／CECS 505-2018标准下载7.2钎焊的主要工序应符合

应根据工艺要求选择成分稳定、无氧化、表面平整的焊料， 根据焊接温度选用焊料及使用量； 2焊接前应通过真空烘焙，通氧气或湿氢的方法，去除待焊 件及焊料片表面的油污及氧化层； 3放置焊料应牢靠，并应使焊料的填缝路程最短，根据工艺 规定可涂敷阻焊剂或阻流剂，对钎焊缝外围涂层和透气孔周围微 电路线条实施阻焊； 4根据焊料种类与工艺要求选择保护气氛和温度曲线，前道 工艺焊料的熔化温度应高于后道工艺的操作温度，盖板结构设计 应合理，封盖焊接过程中应使焊料的流动减至最低限度； 5在二元或三元合金焊料熔融温度下进行钎焊密封时，钎焊 峰值温度应高于焊料合金液相温度20C～50℃； 6当组装过程包含多道钎焊工艺时，应采用温度梯度钎焊， 相邻两道钎焊工艺焊料的液相温度相差宜大于30℃； 7有焊透率要求的电路基板的组装，需根据基板尺寸选择焊 膏进行钎焊，基板应包含透气孔； 8当组件包含多个部件一体化钎焊时，宜采用工装夹具； 9钎焊完成后应清洗焊接件，去除焊渣及助焊剂； 10使用显微镜目检焊缝是否有裂纹、缝隙等缺陷，有缺陷应 重新补焊：

3.7.3针焊的工艺运行条件应符合下列规定：

钎焊封盖应在真空或者高纯度、于燥的氮气保护气氛中进行

赶焊工艺可采用红外链式炉实现大批量生产。

钎焊工艺可采用红外链式炉实现大批量生产。

3.8.1采用平行缝焊工艺应符合下列规定：

1对内部湿气、氧气含量要求比较低且有密封性要求的电 路，应采用平行缝焊工艺； 2待焊接材料为阻热高的材料，密封过程中采用局部加热 封装体的升温较低、对温度较敏感的电子元器件的封装时，应采用 平行缝焊工艺； 3对可伐合金、10号钢等电阻率较高、导热性能差的金属或 合金组件的气密电阻熔焊时，应采用平行缝焊工艺； 4对边缘为矩形、圆形等规则形状盖板的外壳进行焊接，宜 采用平行缝焊工艺。

1 应检查被焊件是否满足焊接结构和尺寸要求，开应清沈被 焊件表面； 2应根据腔体与盖板的大小和厚度，散热情况的差异选择或 编辑适宜的平行缝焊封盖程序，合理选择电极移动的速率、电流脉 冲的强度和持续时间、脉冲之间的时间间隔、电极对盖板的压力、 电极移动的距离等平行缝焊工艺参数，盖板焊接部位厚度宜为 0.1mm～0.15mm，新程序试封后宜进行检漏实验，合格后方进行 正式封装； 3平行缝焊材料体系的组成要求应根据材料的热膨胀系数 决定； 4组件内部水汽含量要求严格时，应将焊接件及对应的盖 板、夹具放人烘箱中，充人氮气并抽真空，真空度达到规定要求时 开始加热并应保温一段时间； 5应确认手套箱内水汽含量达标后某化肥厂电站电气安装施工方案，将烘烤后的产品移入 缝焊操作箱（手套箱）并关严箱门，宜在4h内完成密封，当产品