GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 更新时间:2008年02月19日 资源 GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 积分0.00 特惠 积分0 VIP全站资料免积分下载 立即下载 同类资料根据编号标题搜索 文档 仅供个人学习 反馈 标准编号:GB/T 6617-1995 文件类型:.rar 资源大小:195.0KB 标准类别:国家标准 资源ID:8489 VIP资源 GB/T 6617-1995标准规范下载简介: GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围:10-3~102Ω·cm。 石油天然气 包装标准 纺织标准 轻工标准 外经贸标准 医药标准 广播电影电视 金融标准 机械标准 石油化工标准 卫生标准 ©版权声明 资源来自互联网,如有侵权请联系删除 同类资源: 上一篇 GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 下一篇 GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法 相关文章