DB65／T 3486-2013标准规范下载简介：

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DB65／T 3486-2013 太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法.pdf

DB65/T34862013

试验样品表面干净、干燥、无异物。

8.1温度：15℃～35℃，温度变化<1℃/h。 8.2湿度：<65%RH。 8.3洁净度：9级洁净室或以上。

9.1将标准样品置于承载装置上，设备初始化。 9.2对标准样品进行测试，将测试结果与标准样品数值进行对比。 9.3调整红外光强度，使得测试图像与标准图像一致，偏差在5%以内。 9.4测试不同类型、规格的硅块时，应对相应的程序进行预设。 9.5保存所有校准数据及文件。

10.1将待测硅块置于承载装置上。 10.2根据样品尺寸和类型，选取对应的校准文件和数据库文件。 10.3成像系统对硅块进行成像。 10.4图像处理系统分析、处理获取的硅块图像。 10.5计算机系统保存并输出测试结果。

分别选取多晶硅块10个，将所选样品按照同一方向、同一顺序，由有经验的操作人员在实验至进行 三次重复测试，要求测试结果的GRR<10%。

沂SZDBZ 165-2016 组织知识管理评价指南，具有较好的准确性，可以达到测量系统要求的重复性与再现性。

试验报告应包括下列内容： a）环境温度和湿度； b）硅块的类型和编号； c）测试设备的名称及型号： d）硅块测试方向：

DB65/T34862013

e) 测试硅块缺陷位置及尺寸； f) 硅块测试结果，包括硅块图像； g) 测试结果确认； h) 本标准编号； i) 测试地点和测试者； 测试日期。

e) 测试硅块缺陷位置及尺寸； f) 硅块测试结果，包括硅块图像； g) 测试结果确认； h) 本标准编号； i) 测试地点和测试者； 测试日期。